DDR4 SDRAM

¿QUÉ ES?

DDR4 SDRAM: en Inglés "Double Data Rate type four Synchronous Dynamic Random-Access Memory", desarrollado por la firma Samsung® para el uso con futuras tecnologías. Se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación. También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

CARACTERÍSTICAS:

Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM. La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s.

El voltaje, en las memorias DDR4, pasa de 1.05V a 1.2V. Esto significa una reducción de mas o menos el 30% a la misma frecuencia de funcionamiento.  (1.2 voltios para las versiones estándar, y 1.05 voltios para los modelos comúnmente denominados low voltage).

DESVENTAJAS:

No es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz física y otros factores.

COMPARACIÓN ENTRE DDR4 Y EL DDR3:

	DDR4	DDR3/3L
SODMM	256pin/ 0.5mm	204pin/0.6mm
RDIMM,UDIMM,LRDIMM	284pin/ 0.85mm	240pin/1.0mm
DIMENSIONES DIMM ANCHO/ALTURA/GROSOR	133.35X31.25X3.9 (MO-309SA)	133.35x30x4 (MO-269G)
DIMENSIONES VLP DIMM ANCHO/ALTURA/GROSOR	133.35X18.75X4.9(MO-309SA)	133.35X18.75X4(MO-269G)
DIMENSIONES SOD  DIMM ANCHO/ALTURA/GROSOR	68.6X30X3.7(MO-310SA-01)	67.6X30X3.8 (MO-268C)
VOLTAJE	1.2V	1.5/1.35V
VELOCIDAD DE TRANSMISION DE DATOS	2133	8500/10600/12800